حافظه اس اس دی سامسونگ V-Nand EVO 860 ظرفیت 1 ترابایت
حافظه های پرتابل اس اس دی بر خلاف هارددیسک ها فاقد قطعات متحرک هستند و به همین دلیل کمتر در معرض خرابی و آسیب قرار دارند. حافظه اس اس دی سریع تر و قابل اعتماد تر از حافظه HDD بوده و انرژی کمتری مصرف می کند. این نوع حافظه پرتابل به دلیل همین محبوبیت خاصی در بین افراد حرفه ای خلاق دارد. یکی از برندهای مطرح در زمینه تولید حافظه اس اس دی شرکت سامسونگ است. سامسونگ یکی از شرکتهای فعال در عرصهی تولید حافظه SSD است. یکی از جدیدترین محصولات این شرکت، اس اس دی سامسونگ V-Nand EVO 860 ظرفیت 1 ترابایت است. این حافظه اس اس دی با استفاده از حافظههای V-NAND تولید شده و سرعت و پایداری فوقالعادهای را به همراه دارد.
سرعت فوق العاده
MLC بودن ، نشان دهنده ی استقامت و طول عمر بالای آن است. حداکثر سرعت خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه، سرعت فوقالعاده خوبی برای این حافظه SSD محسوب می شود.
سازگار با همه ویندوزها
حافظه samsung v-nand 860evo 1tra با همه سیستم عاملهای مختلف سازگار است. این حافظه اس اس دی میتواند با بیشتر نسخههای سیستم عامل ویندوز مایکروسافت هماهنگ شود و بالاترین سطوح عملکردی را به اجرا بگذارد.
مقاوم در برابر شوک
حافظه اس اس دی سامسونگ 860EVO 1TB از ظرفیت 1 ترابایت بهره برده و دارای فرم فاکتور 2.5 اینچ است و قابلیت پشتیبانی از TRIM را دارد. این حافظه SSD دارای رابط SATA 3.0 بوده و با رابط 6 گیکابیت بر ثانیه می تواند اطلاعات را انتقال دهد و مقاومت بالایی در برابر برابر شوک، ضربه و لرزش نیز از خود نشان می دهد.
ابعاد و وزن
حافظه اس اس دی سامسونگ V-Nand EVO 860 ظرفیت 1 ترابایت با داشتن ابعاد 100*6.858*70.104 ميليمتر و وزن 86 گرم با استفاده از حافظه V- NAND تولید شده و به بازار عرضه گردیده است. سرعت خواندن اطلاعات در حالت تصادفی 100.000IOPS و سرعت نوشتن اطلاعات در حالت تصادفی 90,000IOPS است.
امنیت بالا
این حافظه اس اس دی Samsung با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES دارای امنیت بالایی است. در دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد و با مصرف برق میانگین 2.2 وات و حداکثر 4 وات به خوبی می تواند کار کند.
مشخصات حافظه samsung v-nand 860evo 1tra
- وزن: 50 گرم
- فرم فاکتور: 2.5 اینچ
- ظرفیت: 1 ترابایت
- ابعاد: 100*6.858*70.104 ميليمتر
- نوع فلش Samsung V-NAND 3bit MLC:
- نوع رابط SATA 6Gb/s :
- دمای عملیاتی: 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- مصرف برق: میانگین 2.2 وات و حداکثر 4 وات
- سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: 550 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: 520 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات تصادفی: 100.000IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی: 90,000IOPS
- میانگین عمر: 2.000.000 ساعت
- میزان مقاومت شوک: G1,500
- کنترل کننده Samsung MJX :
سایر مشخصات
- مقاومت در برابر شوک
- مقاومت در برابر خش
- مقاومت در مقابل لرزش
- مقاومت در برابر ضربه
- سیستم حفاظت دمایی
- مدیریت بهینه انرژی
- دارای تکنولوژی V-NAND
- قابلیت پشتیبانی از TRIM
- پشتیبانی از S.M.A.R.T و TRI
- امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
نقد و بررسیها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.