حافظه اس اس دی سامسونگ مدل Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive – 500GB
سامسونگ پس از پشت سر گذاشتن تجربه موفق در تولید سری درایوهای 850 EVO نسل جدید حافظه اس اس دی را در سری Samsung 860 EVO وارد بازار کرد که با استفاده از تکنولوژی V-NAND میزان ظرفیت نوشتاری را به میزان 8 برابر افزایش داد. این محصولات در کنار کنترلر هوشمند و با ارائه ظرفیت های مختلف امکان مدیریت حجم بالای اطلاعات را با حداکثر ضریب اطمینان به بازار ارائه کرده است. یکی از بهترین اس اس دی سامسونگ EVO 860 ظرفیت 500 گیگابایت است. این حافظه اس اس دی مبتنی بر الگوریتم های قدرتمند به طور خاص برای رایانه های رایج و لپ تاپ ها طراحی شده اند.
ویژگی حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت
کیفیت سخت افزاری و نوع پیکربندی حافظه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل Evo 860 m.2 ظرفیت 500 گیگابایت به گونه ای بهینه سازی شده که بهترین عملکرد و سرعت تبادل اطلاعات در حین پردازش را حفظ می کند.
از ویژگی های دیگر حافظه Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive – 500GB، بهره مندی از تکنولوژی هوشمند TurboWrite و افزایش ظرفیت حافظه موقت از 12 گیگابایت به 72 گیگابایت است. همچنین سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی اطلاعات تا ارقام 550 و 520 مگابایت در ثانیه افزایش یافته و در نتیجه جابجایی اطلاعات را با سرعت بیشتری انجام می دهد.
حفظ پایداری، عملکرد شناور و ظرفیت نوشتاری از جمله مهمترین خصوصیات این هارد اس اس دی محسوب می گردند که این مزیت در زمان ذخیره سازی و پردازش تصاویر سه بعدی و محتوای 4K یک امتیاز مهم محسوب خواهد شد.
سایر ویژگی های حافظه Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive – 500GB
+ پشتیبانی از قابلیت TRIM
+ کنترلر پیشرفته و قدرتمند MJX
+ افزایش هماهنگی با سیستم عامل Linux
+ سازگار با اکثر سیستم های کامپیوتری
+ مجهز به الگوریتم پیشرفته تصحیح کدهای خطا (ECC)
+ بهره مندی از محیط کاربری ساده همراه با ابزارهای متنوع
+ افزایش ضریب ایمنی و بهبود امنیت اطلاعات ذخیره شده
+ قابلیت مدیریت آسان و سریع
+ ارزیابی دقیق سرعت درایو
مشخصات حافظه Samsung 860 Evo m.2 Internal SSD Drive – 500GB
- وزن: 8 گرم
- ظرفیت: 500gb
- فرم فاکتور: M.2 2280
- ابعاد: 80.15×2.38×22.15ميليمتر
- نوع فلشMLC:
- نوع رابط SATAIII :
- حافظه کش: MB/s512
- دمای عملیاتی: 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- مصرف برق: میانگین 2.2 وات و حداکثر 4 وات
- سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: 550 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: 520 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات تصادفی: 97.000IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی: 88,000IOPS
- میانگین عمر: 300 TBW
- میزان مقاومت شوک: G1,500
- کنترل کننده Samsung MJX :
- سایر مشخصات:
- مقاومت در برابر شوک
- مقاومت در مقابل لرزش
- سیستم حفاظت دمایی
- مدیریت بهینه انرژی
- قابلیت پشتیبانی از TRIM
- دارای تکنولوژی V-NAND
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.