حافظه اس اس دی سامسونگ مدل Samsung SSD EVO PLUS 970 1t
شرکت سامسونگ با شعار همیشه در حال رشد اس اس دی (Always Evolving SSD)، محصولات خود را روز به روز بهتر کرده است. از جدیدترین حافظه اس اس دی های شرکت سامسونگ می توان به حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 970 اوو پلاس Samsung SSD EVO PLUS 970 1tb با ظرفیت یک ترابایت اشاره کرد. این محصول سری جدید حافظه اس اس دی سامسونگ مدل EVO PLUS 970 ظرفیت 1 ترابایت است.
سرعت حافظه اس اس دی 970 Evo Plus در مقایسه با حافظه اس اس دی 970 Evo افزایش پیدا کرده است. حافظه این اس اس دی با استفاده از آخرین نسل از حافظه فلش V-NAND و جدیدترین Firmware بهینه شده و به لطف کنترلر Phoenix و نیز قابلیت نرم افزاری هوشمند TurboWrite boost توانسته است 53 درصد سریع تر از حافظه اس اس دی های قبل یعنی Samsung 970 Evo عمل نماید.
اس اس دی سامسونگ مدل 970 اوو پلاس با ظرفیت یک ترابایت یک حافظه اس اس دی M.2 2280 بوده که برای استفاده در لپ تاپ و سیستم های گیمینگ کاملا مناسب است.
ویژگی های حافظه Samsung SSD EVO PLUS 970 1t
سرعت خواندن اطلاعات در حافظه اس اس دی Samsung 970 Evo Plus m.2 1TB تا 3500 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن اطلاعات به 3300 مگابایت بر ثانیه می رسد. به طور تقریبی این هارد حدود 18 برابر یک هارد داخلی سرعت دارد.
دارای پوشش نیکل
سامسونگ در حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 970 اوو پلاس با ظرفیت یک ترابایت با استفاده از پوشش نیکل، دمای اس اس دی را متعادل ساخته و از بالا رفتن دما در آن جلوگیری کرده است.
جلوگیری از تخریب عملکرد
دمای عملیاتی ایده آل حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 970 اوو پلاس با ظرفیت یک ترابایت از طریق Dynamic Thermal Guard به طور خودکار کنترل و حفظ می گردد تا از تخریب عملکرد جلوگیری کند.
بهره مندی از تکنولوژی V NAND
تکنولوژی INNOVATIVE V NAND حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 970 اوو پلاس با ظرفیت یک ترابایت با پشتیبانی از V NAND، رابط NVMe 970 EVO Plus SSD ،(PCIe Gen 3.0 x4 NVMe 1.3) پهنای باند، تأخیر کم و بهره وری قدرت را برای علاقه مندان به فن آوری، گیمرهای سطح بالا و طراحان محتوای 4K و 3D ارائه می دهد.
مشخصات حافظه اس اس دی سامسونگ مدل EVO PLUS 970 ظرفیت 1 ترابایت
- وزن: 8 گرم
- ظرفیت: 1 ترابایت
- فرم فاکتور: M.2 2280
- ابعاد: 80.15×2.38×22.15ميليمتر
- نوع فلش Samsung V-NAND 3-bit MLC :
- نوع رابط M.2 PCIe Gen 3 x4 with NVM Express:
- دمای عملیاتی: 0 تا 70 درجه سانتیگراد
- مصرف برق: میانگین 3.3 وات و حداکثر 9 وات
- سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی: 3500 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی: 3200 مگابایت بر ثانیه
- سرعت خواندن اطلاعات تصادفی: 600.000IOPS
- سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی: 550,000IOPS
- میانگین عمر: TBW600
- میزان مقاومت شوک: G1,500
- نسخه: NVMe3
- کنترل کننده Samsung MJX :
- سایر مشخصات:
- مقاومت در برابر شوک
- مفاومت در برابر ضربه
- مقاومت در مقابل لرزش
- سیستم حفاظت دمایی
- مدیریت بهینه انرژی
- قابلیت پشتیبانی از TRIM
- دارای تکنولوژی V-NAND
- قابلیت رمزگذاری 256 بیتی AES
- پشتیبانی از قابلیت S.M.A.R.T TEC
- دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- پشتیبانی از قابلیت Device Sleep Mode Support
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.